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　　芯片電容器—單層陶瓷電容器具有尺寸小、厚度薄等效串聯電阻低、損耗低的長處，應用頻率可達數GHZ，適用于小型、微波的場合，廣泛應用于微波通訊線路，微波功率放大器以及微波集成電路中，起到隔直通交、RF旁路、 濾波、調諧等作用。

　　目前首要選用流延法、軋膜法制備陶瓷基片。通過磁控濺射、光刻和電鍍辦法制備外電極，經過精細切開技術制得不同尺寸的芯片電容器。

　　下面簡要的介紹下芯片電容器的陶瓷基片的幾種制備辦法：

　　流延法，流延技術生產效率高，自動化水平高，膜片平坦易加工，質量穩定等優點。流延法是將制造好的瓷漿經過流延設備的注漿口，涂布在環形鋼帶或塑料帶上，然后構成一層均勻的漿料層，其厚度可由漿料的黏度、注漿口的寬度及鋼帶的走帶速度調理。經過干燥后構成必定厚度和寬度并具有必定強度和彈性的細密的陶瓷基片，可以很方便地進行加工，流延出的瓷膜平坦，光潔度高，常見厚度在1-60um之間。

　　軋膜法：軋膜法通常在軋膜機進步行，軋膜機由兩個滾筒組成，滾筒的表面經過鍍鉻拋光，以確保軋出的薄膜具有較高的光潔度。滾筒之間的間隔可以調理，以便操控軋膜的厚度。一般軋膜 進程分為配料、粗軋和精軋幾個工序。配料是瓷料粉末和必定的黏合劑、溶劑等配成漿料，以便粗軋。粗軋的意圖是將粉料和黏合劑混合均勻，并取得必定的厚度的瓷帶以便進行精軋。精軋時逐步縮小軋膜機兩個滾筒之間的間隔，經過重復多次軋膜，取得所需厚度的陶瓷膜。采用軋膜法能確保瓷膜細密、氣孔小，但瓷膜的厚度難以達到小。

　　兩種辦法比較，在相同燒結工藝條件下，軋膜工藝得到的陶瓷晶粒較大，導致軋膜式的ε更大。流延工藝制備電容器的ε和tanθ均小些，但其介溫特性差，應用時會影響電容器的可靠性。

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